本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

1.1　本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
1.2　本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3　本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

1.1　本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2　本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。
本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于5×1014 cm-3。

定价： 24元 / 折扣价： 21 元 加购物车

本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为：0.050%～0.75%。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

GB/T 14849的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中钙含量的测定，测定范围为：0.005 0%～0.55%。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×1014 cm-3～5×1017 cm-3。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车