【国家标准】集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

本网站发布时间： 2022-10-08

GB/T 41325-2022
现行
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标准简介

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适用范围：

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

基本信息

标准号：
GB/T 41325-2022
标准名称：
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称：
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
标准状态：
现行
发布日期：
2022-03-09
实施日期：
2022-10-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H82

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
20 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平
起草单位：
有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
快3网下载安装到手机、国家标准化管理委员会

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