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【国家标准】 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定　非接触涡流法

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适用范围：

暂无

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 6616-1995

  • 标准名称：

    半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定　非接触涡流法

  • 英文名称：

    Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage

  • 标准状态：

    被代替

  • 发布日期：

    1995-04-18

  • 实施日期：

    1995-12-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.040.30

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    EQV 等同采用

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    9 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    林敏敏、张玉芬、夏锦禄

  • 起草单位：

    上海有色金属研究所

  • 归口单位：

  • 提出部门：

    中国有色金属工业总公司

  • 发布部门：

    国家技术监督局
  • 其它标准
  • 推荐标准

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