开发票 会员介绍
购物车 400-168-0010

标准详细信息 去购物车结算

【国家标准】 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法

本网站 发布时间：
开通会员免费在线看70000余条国内标准，赠送文本下载次数，单本最低仅合13.3元！还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权！   查看详情>>
标准简介标准简介

文前页下载

适用范围：

本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

读者对象：

使用X射线光电子能谱法对硅晶片表面超薄氧化硅层厚度进行测量的研究、检验机构的人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 25188-2010

  • 标准名称：

    硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法

  • 英文名称：

    Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2010-09-26

  • 实施日期：

    2011-08-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    71.040.40

  • 中标分类号：

    G04

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    13 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美

  • 起草单位：

    中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院

  • 归口单位：

    全国微束分析标准化技术委员会

  • 提出部门：

    全国微束分析标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

经营许可证编号 京ICP备16035570号-4 版权所有 侵权必究

Baidu
map