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【国家标准】 硅多晶真空区熔基硼检验方法

本网站 发布时间： 2019-06-03
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适用范围：

本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。

读者对象：

有色金属及半导体行业的技术人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 4060-2007

  • 标准名称：

    硅多晶真空区熔基硼检验方法

  • 英文名称：

    Polycrystalline silicon—Examination method—Vacuum zone-melting on boron

  • 标准状态：

    被代替

  • 发布日期：

    2007-09-11

  • 实施日期：

    2008-02-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040.01

  • 中标分类号：

    H17

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    8 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东

  • 起草单位：

    峨眉半导体材料厂

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    中国有色金属工业协会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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