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【国家标准】 砷化镓单晶位错密度的测试方法

本网站 发布时间: 2021-08-02
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适用范围:

本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 8760-2020

  • 标准名称:

    砷化镓单晶位错密度的测试方法

  • 英文名称:

    Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2020-09-29
  • 实施日期:

    2021-08-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    77.040
  • 中标分类号:

    H21

关联标准

出版信息

  • 页数:

    12 页
  • 字数:

    16 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
  • 起草单位:

    有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 发布部门:

    快3网下载安装到手机 、国家标准化管理委员会
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