【国家标准】碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试　共焦点微分干涉法

本网站发布时间： 2024-06-03

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标准简介

本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

标准号：
GB/T 43313-2023
标准名称：
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试　共焦点微分干涉法
英文名称：
Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
标准状态：
现行
发布日期：
2023-11-27
实施日期：
2024-06-01
出版语种：
中文简体

起草人：
姚康、刘立娜、何烜坤、李素青、马春喜、高飞、张红岩、陆敏、郑红军、房玉龙、芦伟立、丁雄杰、刘薇、李嘉炜、晏阳、钮应喜、杨玉聪、黄树福
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、浙江东尼电子股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
快3网下载安装到手机、国家标准化管理委员会

【国家标准】 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法