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【国家标准】 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

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适用范围：

2.1　本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2　本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。

读者对象：

硅片参考面结晶学取向X射线测试相关人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 13388-2009

  • 标准名称：

    硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

  • 英文名称：

    Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《硅片参考面晶向X射线测试方法》 MOD 修改采用

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    17 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    孙燕、卢立延、杜娟、翟富义、高玉锈

  • 起草单位：

    有研半导体材料股份有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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