【国家标准】硅和锗体内少数载流子寿命测定　光电导衰减法

本网站发布时间： 2024-03-01

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标准简介

1.1　本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
1.2　本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。

硅和锗体内少数载流子寿命测定相关人员。

标准号：
GB/T 1553-2009
标准名称：
硅和锗体内少数载流子寿命测定　光电导衰减法
英文名称：
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
标准状态：
被代替
发布日期：
2009-10-30
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
中文简体

【国家标准】 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法