【国家标准】半导体器件　分立器件　第4部分：微波器件

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GB/T 20516-2006
现行
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标准简介

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适用范围：

本标准给出了以下门类分立器件的标准： ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等） ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等） ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等） ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等） ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）

读者对象：

本标准适用于半导体器件的生产、设计、检测及相关人员。

基本信息

标准号：
GB/T 20516-2006
标准名称：
半导体器件　分立器件　第4部分：微波器件
英文名称：
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4:Microwave devices
标准状态：
现行
发布日期：
2006-10-10
实施日期：
2007-02-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：
L40

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
IDT 等同采用

出版信息

页数：
76 页
字数：
144 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
黄玉英、金毓铨
起草单位：
中国电子科技集团公司第五十五研究所
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会
提出部门：
中华人民共和国信息产业部
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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