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【国家标准】 微机电系统(MEMS)技术　MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

本网站 发布时间： 2024-11-26
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适用范围：

本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。
本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 44517-2024

  • 标准名称：

    微机电系统(MEMS)技术　MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

  • 英文名称：

    Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films

  • 标准状态：

    即将实施

  • 发布日期：

    2024-09-29

  • 实施日期：

    2025-04-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.99

  • 中标分类号：

    L59

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《半导体器件　微机电器件　第16部分:MEMS膜残余应力试验方法　晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    15 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    马卓标、李根梓、曹诗亮、谢波、余庆、孙立宁、王军波、梁先锋、孙旭辉、胡永刚、杨绍松、许磊、宏宇、王雄伟、钱峰、周再发、董显山、杨旸、张森、张红旗、汤一、兰之康、黄晟、张胜兵、李海全、万蔡辛、高峰、陈林

  • 起草单位：

    合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、中国科学院空天信息创新研究院、苏州大学、国网智能电网研究院有限公司、苏州慧闻纳米科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、无锡芯感智半导体有限公司、微纳感知(合肥)技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、宁波科联电子有限公司、美的集团股份有限公司、东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市速腾聚创科技有限公司、华东电子工程研究所(中国电子科技集团公司第三十八研究所)、北京晨晶电子有限公司、南京高华科技股份有限公司、武汉高德红外股份有限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、无锡韦感半导体有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司

  • 归口单位：

    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

  • 提出部门：

    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

  • 发布部门：

    快3网下载安装到手机 、国家标准化管理委员会
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  • 推荐标准

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