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【国家标准】 LED外延芯片用砷化镓衬底

本网站 发布时间： 2014-11-02
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适用范围：

本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 30856-2014

  • 标准名称：

    LED外延芯片用砷化镓衬底

  • 英文名称：

    GaAs substrates for LED epitaxial chips

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2014-07-24

  • 实施日期：

    2015-04-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H83

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    22 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    赵有文、提刘旺、林泉、于洪国、惠峰、赵坚强

  • 起草单位：

    中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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