【国家标准】硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法

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GB/T 14141-2009
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标准简介

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适用范围：

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10 Ω～5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

读者对象：

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定相关人员。

基本信息

标准号：
GB/T 14141-2009
标准名称：
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法
英文名称：
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准状态：
现行
发布日期：
2009-10-30
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H80

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
15 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤
起草单位：
宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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