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【国家标准】 低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

本网站 发布时间： 2016-11-01
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适用范围：

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 13539.4-2016

  • 标准名称：

    低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

  • 英文名称：

    Low-voltage fuses—Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2016-04-25

  • 实施日期：

    2016-11-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.120.50

  • 中标分类号：

    K31

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《低压熔断器　第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    44 页

  • 字数：

    80 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    吴庆云、张丽丽、林海鸥、李全安、赖文辉、刘双库、贾炜、李传上、李振飞、周纲、黄旭雄、方径林、郑爱国、石晓光、张懿、易颖

  • 起草单位：

    上海电器科学研究院

  • 归口单位：

    全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)

  • 提出部门：

    中国电器工业协会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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