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【国家标准】 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

本网站 发布时间： 2021-12-01
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适用范围：

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

读者对象：

硅外延层载流子浓度测定相关人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 14146-2009

  • 标准名称：

    硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

  • 英文名称：

    Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

  • 标准状态：

    被代替

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    13 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平

  • 起草单位：

    南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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