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【国家标准】 半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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适用范围：

本标准给出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

读者对象：

全国从事半导体分立器件相关工作的科技人员、企事业人员与标准化人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 29332-2012

  • 标准名称：

    半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

  • 英文名称：

    Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2012-12-31

  • 实施日期：

    2013-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.01;31.080.30

  • 中标分类号：

    L42

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    56 页

  • 字数：

    98 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满

  • 起草单位：

    西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

  • 提出部门：

    中华人民共和国工业和信息化部

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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