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【地方标准】 发光二极管芯片点测方法

本网站 发布时间： 2023-11-06
  • DB35/T 1370-2013
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

基本信息

  • 标准号：

    DB35/T 1370-2013

  • 标准名称：

    发光二极管芯片点测方法

  • 英文名称：

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2013-12-04

  • 实施日期：

    2014-03-01

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.260

  • 中标分类号：

    L45

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政

  • 起草单位：

    厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心

  • 归口单位：

    省信息化局

  • 提出部门：

  • 发布部门：

    福建省质量技术监督局
  • 其它标准
  • 推荐标准

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