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【团体标准】 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序

本网站 发布时间： 2023-06-05
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适用范围：

本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。
本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。
本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。
本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

基本信息

  • 标准号：

    T/CIE 119-2021

  • 标准名称：

    半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序

  • 英文名称：

    Test method and procedure of atmospheric-neutron induced single event effects in semiconductor devices

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2021-11-22

  • 实施日期：

    2022-02-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.01

  • 中标分类号：

    L40

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    28 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    张战刚、雷志锋、黄云、郭雁泽、于全芝、梁天骄、郭红霞、赵振可、王春晓、陈宇、何玉娟、彭超、肖庆中

  • 起草单位：

    工业和信息化部电子第五研究所、中国民用航空适航审定中心、散裂中子源科学中心、西北核技术研究院、中国航发商用航空发动机有限责任公司、中国航空综合技术研究所

  • 归口单位：

    中国电子学会可靠性分会

  • 提出部门：

    中国电子学会可靠性分会

  • 发布部门：

    中国电子学会
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