【国家标准】重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

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GB/T 14847-2010
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标准简介

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适用范围：

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5 μm～2 μm之间的n型和p型外延层厚度。

读者对象：

设计、生产、使用、销售、测试n型和p型硅外延层的企业和检测机构的技术人员

基本信息

标准号：
GB/T 14847-2010
标准名称：
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
标准状态：
现行
发布日期：
2011-01-10
实施日期：
2011-10-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H80

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
17 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
起草单位：
宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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