【国际标准】 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

本网站发布时间： 2025-01-04

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标准简介

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标准号：
IEC 60747-9:2019 EN-FR
标准名称：
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
英文名称：
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
标准状态：
现行
发布日期：
2019-11-13
实施日期：
出版语种：
EN-FR

IEC 60747-9:2019 EN-FR c09ec1aa Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9:2019 EN-FR