【国家标准】低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法

本网站发布时间： 2022-10-08

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标准简介

2.1　本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2　本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。

硅单晶杂质测定相关人员。

标准号：
GB/T 24581-2009
标准名称：
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
英文名称：
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
标准状态：
被代替
发布日期：
2009-10-30
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
中文简体

【国家标准】 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法