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【国家标准】 硅片径向电阻率变化的测量方法

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标准简介标准简介

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适用范围：

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

读者对象：

有色金属及半导体行业的技术人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 11073-2007

  • 标准名称：

    硅片径向电阻率变化的测量方法

  • 英文名称：

    Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2007-09-11

  • 实施日期：

    2008-02-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040.01

  • 中标分类号：

    H17

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    MOD 修改采用

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    24 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    梁洪、覃锐兵、王炎

  • 起草单位：

    峨嵋半导体材料厂

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    中国有色金属工业协会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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