【国家标准】表面化学分析　二次离子质谱　硅中硼深度剖析方法

本网站发布时间： 2021-12-01

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标准简介

本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

标准号：
GB/T 40109-2021
标准名称：
表面化学分析　二次离子质谱　硅中硼深度剖析方法
英文名称：
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
标准状态：
现行
发布日期：
2021-05-21
实施日期：
2021-12-01
出版语种：
中文简体

【国家标准】 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法