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【国家标准】 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

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适用范围：

本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。
本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm～1×102Ω·cm。

读者对象：

设计、生产、使用、销售锗单晶的企业、质量监督检验机构的技术人员、半导医材料研究人员

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 26074-2010

  • 标准名称：

    锗单晶电阻率直流四探针测量方法

  • 英文名称：

    Germanium monocrystal—Measurement of resistivity-DC linear four-point probe

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2011-01-10

  • 实施日期：

    2011-10-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040.99

  • 中标分类号：

    H17

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    11 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    张莉萍、焦欣文、王学武、普世坤

  • 起草单位：

    南京中锗科技股份有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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