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【国家标准】 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

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适用范围：

本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

读者对象：

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验 相关人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 4061-2009

  • 标准名称：

    硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

  • 英文名称：

    Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    5 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    袁金满

  • 起草单位：

    洛阳中硅高科技有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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