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【国家标准】 硅基MEMS制造技术　版图设计基本规则

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适用范围：

本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积（PVD）、离子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH）腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。

读者对象：

全国从事硅基MEMS制造技术科研工作的科技人员和标准化人员

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 28274-2012

  • 标准名称：

    硅基MEMS制造技术　版图设计基本规则

  • 英文名称：

    Silicon-based MEMS fabrication technology—The basic regulation of layout design

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2012-05-11

  • 实施日期：

    2012-12-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.200

  • 中标分类号：

    L55

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    19 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、乔大勇

  • 起草单位：

    北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、西北工业大学

  • 归口单位：

    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

  • 提出部门：

    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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