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【国家标准】 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

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适用范围：

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104　Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

读者对象：

电工电子行业。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 4326-2006

  • 标准名称：

    非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

  • 英文名称：

    Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2006-07-18

  • 实施日期：

    2006-11-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040.01

  • 中标分类号：

    H17

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    20 页

  • 字数：

    28 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    王彤涵

  • 起草单位：

    北京有色金属研究总院

  • 归口单位：

    全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC)

  • 提出部门：

    中国有色金属工业协会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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