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【国家标准】 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

本网站 发布时间： 2015-04-15
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适用范围：

本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10 nm~1 000 nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 31225-2014

  • 标准名称：

    椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

  • 英文名称：

    Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2014-09-30

  • 实施日期：

    2015-04-15

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    17.040.01

  • 中标分类号：

    J04

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    14 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰

  • 起草单位：

    上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心

  • 归口单位：

    全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)

  • 提出部门：

    中国科学院

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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