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【国家标准】 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

本网站 发布时间： 2018-05-02
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适用范围：

本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 34900-2017

  • 标准名称：

    微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

  • 英文名称：

    Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2017-11-01

  • 实施日期：

    2018-05-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.200

  • 中标分类号：

    L55

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    20 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    郭彤、胡晓东、李海斌、于振毅、裘安萍、程红兵、崔波、朱悦

  • 起草单位：

    天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所

  • 归口单位：

    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

  • 提出部门：

    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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