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- GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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适用范围:
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。
本标准适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。
本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
本标准测量的碳原子含量的有效范围:室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度,77 K时检测下限为5×1014 at·cm-3 (0.01 ppma)。
本标准适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。
本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
本标准测量的碳原子含量的有效范围:室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度,77 K时检测下限为5×1014 at·cm-3 (0.01 ppma)。
读者对象:
硅中代位碳原子含量测定相关人员。
标准号:
GB/T 1558-2009
标准名称:
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
英文名称:
Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption标准状态:
被代替-
发布日期:
2009-10-30 -
实施日期:
2010-06-01 出版语种:
中文简体
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