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【国家标准】 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

本网站 发布时间: 2024-07-01
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适用范围:

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。
本标准适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。
本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
本标准测量的碳原子含量的有效范围:室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度,77 K时检测下限为5×1014 at·cm-3 (0.01 ppma)。

读者对象:

硅中代位碳原子含量测定相关人员。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 1558-2009

  • 标准名称:

    硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

  • 英文名称:

    Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
  • 标准状态:

    被代替
  • 发布日期:

    2009-10-30
  • 实施日期:

    2010-06-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    29.045
  • 中标分类号:

    H80

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

    《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》 MOD 修改采用

出版信息

  • 页数:

    12 页
  • 字数:

    10 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    何秀坤、李静、段曙光、梁洪
  • 起草单位:

    信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 发布部门:

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
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