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【国家标准】 碳化硅单晶片微管密度的测定　化学腐蚀法

本网站 发布时间： 2014-09-24
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适用范围：

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。
本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 30868-2014

  • 标准名称：

    碳化硅单晶片微管密度的测定　化学腐蚀法

  • 英文名称：

    Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2014-07-24

  • 实施日期：

    2015-02-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H83

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    10 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川

  • 起草单位：

    中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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