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【国家标准】 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

本网站 发布时间： 2014-09-24
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适用范围：

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 30867-2014

  • 标准名称：

    碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

  • 英文名称：

    Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2014-07-24

  • 实施日期：

    2015-02-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H83

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    8 页

  • 字数：

    8 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川

  • 起草单位：

    中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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