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【国家标准】 硅抛光片表面颗粒测试方法

本网站 发布时间: 2019-07-01
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适用范围:

本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试,对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm~11 nm线宽工艺用硅片,本标准提供了扫描表面检查系统的设置。
本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类,也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类,对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
注:本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 19921-2018

  • 标准名称:

    硅抛光片表面颗粒测试方法

  • 英文名称:

    Test method for particles on polished silicon wafer surfaces
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2018-12-28
  • 实施日期:

    2019-07-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    77.040
  • 中标分类号:

    H21

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    32 页
  • 字数:

    50 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    孙燕、刘卓、冯泉林、徐新华、张海英、骆红、刘义、杨素心、张雪囡
  • 起草单位:

    有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 发布部门:

    快3网下载安装到手机 、中国国家标准化管理委员会
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