【国家标准】用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

本网站发布时间： 2017-12-19

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标准简介

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录A）相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

标准号：
GB/T 14863-2013
标准名称：
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文名称：
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：
废止
发布日期：
2013-12-31
实施日期：
2014-08-15
出版语种：
中文简体

【国家标准】 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法