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【国家标准】 硅片电阻率测定　扩展电阻探针法

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适用范围：

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。

读者对象：

硅片电阻率测定 相关人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 6617-2009

  • 标准名称：

    硅片电阻率测定　扩展电阻探针法

  • 英文名称：

    Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    10 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等

  • 起草单位：

    南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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