【国家标准】硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法

本网站发布时间： 2022-10-08

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标准简介

本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

标准号：
GB/T 24581-2022
标准名称：
硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法
英文名称：
Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
标准状态：
现行
发布日期：
2022-03-09
实施日期：
2022-10-01
出版语种：
中文简体

起草人：
梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林
起草单位：
乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标(北京)检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
快3网下载安装到手机、国家标准化管理委员会

【国家标准】 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法