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【国家标准】 氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法

本网站 发布时间： 2016-11-01
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适用范围：

本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 32282-2015

  • 标准名称：

    氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法

  • 英文名称：

    Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2015-12-10

  • 实施日期：

    2016-11-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    13 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科

  • 起草单位：

    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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