【国家标准】半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法

本网站发布时间： 2024-03-01

GB/T 6616-2009
被代替
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标准简介

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适用范围：

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm～1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。
硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm～2×102 Ω·cm和2×103 Ω/□～3×103 Ω/□。

读者对象：

半导体硅片生产、检测和使用人员。

基本信息

标准号：
GB/T 6616-2009
标准名称：
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法
英文名称：
Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
标准状态：
被代替
发布日期：
2009-10-30
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H80

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
11 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙
起草单位：
万向硅峰电子股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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