本文件规定了镓基液态金属热界面材料的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于以镓或镓基液态金属为主要有效导热成分的液态或膏状热界面材料。

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本文件规定了高纯镓的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于纯度不小于99.999 9%的高纯镓的生产、检测及质量评价。
注： 高纯镓主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂等。

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本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到的区熔锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的高纯锗单晶；ZGe-1区熔锗锭主要用于制备红外光学和太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、锗-硅合金等。

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本标准规定了高纯氢氧化铟的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内容。
本标准适用于以金属铟为原料，经净化、中和、沉淀制得的高纯氢氧化铟，产品主要用于制取碱性电池、ITO及电子元件材料等。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中砷量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中砷量的测定，测定范围（质量分数）为0.000　01%～0.005　0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锑量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中锑量的测定，测定范围（质量分数）为0.000 01%～0.005 0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中铝、铁、铜、锌、镉、铅和铊量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中铝、铁、铜、锌、镉、铅和铊量的测定。测定范围（质量分数）为铝、铁、锌、铅0.000 05%～0.004 0%，铜、镉、铊0.000 02%～0.004 0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟灼减量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟灼减量的测定，测定范围（质量分数）为16.00％～18.00％。

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GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中砷量的测定方法。
本部分适用于高纯氧化铟中砷量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 01%～0.005 0%。

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GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中锡量的测定方法。
本部分适用于高纯氧化铟中锡量的测定，测定范围(质量分数)为0.000 05%～0.004 0%。

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GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中锑量的测定方法。
本部分适用于高纯氧化铟中锑量的测定，测定范围（质量分数）为0.000 01%～0.008 0%。

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GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟中氯量的测定方法。
本部分适用于高纯氧化铟中氯量的测定，测定范围（质量分数）为0.025％～0.80％。

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GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟灼减量的测定方法。
本部分适用于高纯氧化铟灼减量的测定，测定范围（质量分数）为0.05％～1.00％。

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GB/T 23513的本部分规定了锗精矿中硫含量的测定方法。
本部分适用于锗精矿中硫含量的测定。测定范围：0.5%～10%。

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