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本文件可用于晶圆级和封装级器件产品测试,但应考虑器件热特性,尽量减少自热效应对测试结果带来的影响。未切割的小功率晶圆级器件相对其功率等级具有较好的散热能力,而大功率晶圆级器件和封装级器件可能在连续大电流测试过程结温明显上升,需要进行散热处理。

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本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件:a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件;b)GaN集成功率电路;c)以上的晶圆级及封装级产品。

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本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件:a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件;b)GaN集成功率电路;c)以上的晶圆级及封装级产品。

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